據人民網發布的中國統一戰線新聞網聯合中國共產黨新聞網推出的“2020年全國兩會各民主黨派提案選登”報道顯示，民進中央擬提交“關于推動中國功率半導體產業科學發展的提案”。

　　提案指出，隨著工業、汽車、無線通訊和 消費電子 等領域新應用的不斷涌現以及節能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產業新技術，在國家政策利好下，功率半導體將成為“ 中國芯 ”的最好突破口。為此，建議進一步完善功率半導體產業發展政策，大力扶持硅材料功率半導體芯片技術攻關，立項支持硅材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經過多年布局和發展，我國在硅材料　IGBT芯片技術方面有一定的技術基礎和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產品設計及批量制造工藝技　術作為發展重點，采取先易后難、解決“有無”問題的發展策略，盡快實現功率半導體芯片自主供給。

　　為此，民進中央建議：

　　一、進一步完善功率半導體產業發展政策 ，大力扶持硅材料功率半導體芯片技術攻關，立項支持硅材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經過多年布局和發展，我國在硅材料 IGBT芯片技術方面有一定的技術基礎和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產品設計及批量制造工藝技 術作為發展重點，采取先易后難、解決“有無”問題的發展策略，盡快實現功率半導體芯片自主供給。

　　二、加大新材料科技攻關 。大數據傳輸、云計算、AI 技術、物聯網，包括下一步的能源傳輸，對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。從產業發展趨勢看，碳化硅、氮化鎵等新材料應用于功率半導體優勢明顯，是下一代功率半導體的核心技術方向。

　　目前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段，國內廠商與海外傳統巨頭之間差距較小，國內企業有望在本土市場應用中實現彎道超車。

　　一是要把功率半導體新材料研發列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰略制高點；  

　　二是引導企業積極滿足未來的應用需求，進行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業著力攻克一批產業發展關鍵技術、應用技術難題，在國際競爭中搶占先機；  

　　三是要避免對新概念的過熱炒作。新材料從發現潛力到產業化，需要建立起高效的產學研體系，打造更加開放包容的投資環境。  

　　三、謹慎支持收購國外功率半導體企業 。通過收購很難實現完全學會和掌握國際先進的功率半導體芯 片設計及制造工藝技術，同時海外工廠制造的產品仍然存在著無法出口到中國的危險。
文章轉自人民網。